11月29日，由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制“超分辨光刻裝備研制” 通過國家驗(yàn)收該光刻機(jī)是國家重大科研裝備研制項(xiàng)目。光刻分辨力達(dá)到22納米，將來結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，還可用于制造10納米級(jí)別的芯片。

光刻機(jī)是制造芯片的核心裝備，我國在這一領(lǐng)域長(zhǎng)期落后。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把設(shè)計(jì)母版上的精細(xì)電路設(shè)計(jì)圖，通過曝光的方式轉(zhuǎn)印至硅晶體片上。光刻機(jī)的分辨力越是高，硅晶芯片的集成度也越高。但是傳統(tǒng)的光刻技術(shù)受到“光學(xué)衍射”（光波遇到障礙物以后會(huì)或多或少地偏離幾何光學(xué)傳播定律的現(xiàn)象）效應(yīng)的影響，很難進(jìn)一步提高圖像的分辨力。

為獲得更高分辨力，目前普遍采用的技術(shù)是縮短光波，增加成像系統(tǒng)數(shù)值孔徑等技術(shù)路徑來提高光刻機(jī)的分辨率，但這項(xiàng)技術(shù)對(duì)設(shè)備要求*，相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)也在國外企業(yè)手中，購買相應(yīng)設(shè)備的成本也*。

我國此次研制的該光刻機(jī)是在365納米光源波長(zhǎng)下，單次曝光高的線寬分辨力可以達(dá)到22納米。該項(xiàng)目從原理上突破了分辨力衍射的極限。建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線，并且繞過了國外相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的壁壘。

中科院光電所此次通過驗(yàn)收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統(tǒng)路線格局，形成一條全新的納米光學(xué)光刻技術(shù)路線，具有*自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、廣義芯片等變革性領(lǐng)域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。

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